FDS3580

Numero di Prodotto del Fabbricante:

FDS3580

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

FDS3580-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 80V 7.6A 8SOIC

Descrizione Dettagliata:

N-Channel 80 V 7.6A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Inventario:

9823 Pz Nuovo Originale Disponibile

12838142

Richiedi preventivo

Quantità
Minimo 1

(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore

INVIA

FDS3580 Specifiche Tecniche

Categoria

FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET

Produttore

onsemi

Imballaggio

Tape & Reel (TR)

Serie

PowerTrench®

Stato del prodotto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione da drain a source (Vdss)

80 V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C

7.6A (Ta)

Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

29mOhm @ 7.6A, 10V

vgs(th) (massimo) @ id

4V @ 250µA

Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs

46 nC @ 10 V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds

1800 pF @ 25 V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Ta)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Numero di prodotto di base

FDS35

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

Scheda Dati HTML

Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard

2,500

Altri nomi

FDS3580FSDKR

FDS3580FSCT

FDS3580-DG

FDS3580FSTR

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS

ROHS3 Compliant

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)

1 (Unlimited)

Stato REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificazione DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Prodotti correlati

onsemi

FQPF6N40CF

MOSFET N-CH 400V 6A TO220F

onsemi

FDN5618P_G

MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3

onsemi

FQA46N15

MOSFET N-CH 150V 50A TO3P

onsemi

FQB3P20TM

MOSFET P-CH 200V 2.8A D2PAK