Numero di Prodotto del Fabbricante:
FDR842P
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FDR842P-DG
Descrizione:
MOSFET P-CH 12V 11A SUPERSOT8
Descrizione Dettagliata:
P-Channel 12 V 11A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-8
Inventario:
12846683
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FDR842P Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
12 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
11A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9mOhm @ 11A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id
1.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
80 nC @ 4.5 V
Vgs (massimo)
±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
5350 pF @ 6 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1.8W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
SuperSOT™-8
Pacchetto / Custodia
8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)
Numero di prodotto di base
FDR84
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
FDR842P-DG
FDR842PTR
FDR842PCT
FDR842PDKR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
FDC606P
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
FDC606P-DG
PREZZO UNITARIO
0.30
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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