Numero di Prodotto del Fabbricante:
FDN352AP
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FDN352AP-DG
Descrizione:
MOSFET P-CH 30V 1.3A SUPERSOT3
Descrizione Dettagliata:
P-Channel 30 V 1.3A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Inventario:
61417 Pz Nuovo Originale Disponibile
12849006
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FDN352AP Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
PowerTrench®
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
1.3A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 1.3A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
1.9 nC @ 4.5 V
Vgs (massimo)
±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
150 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
500mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
SOT-23-3
Pacchetto / Custodia
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numero di prodotto di base
FDN352
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
FDN352APTR
FDN352AP-DG
FDN352APDKR
FDN352APCT
2156-FDN352AP-OS
2832-FDN352APTR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificazione DIGI
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