FDN337N-F169
Numero di Prodotto del Fabbricante:

FDN337N-F169

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

FDN337N-F169-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 30 V 2.2A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

Inventario:

12926746
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA

FDN337N-F169 Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
2.2A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
65mOhm @ 2.2A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id
1V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
9 nC @ 4.5 V
Vgs (massimo)
±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
300 pF @ 10 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
500mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
SOT-23-3
Pacchetto / Custodia
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numero di prodotto di base
FDN337

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
3,000

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Modelli Alternativi

NUMERO DI PARTE
FDN337N
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
FDN337N-DG
PREZZO UNITARIO
0.13
TIPO DI SOSTITUZIONE
Direct
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
microsemi

JANTX2N6788

MOSFET N-CH 100V 6A TO39

onsemi

NTMS4807NR2G

MOSFET N-CH 30V 9.1A 8SOIC

onsemi

FQB630TM

MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK

onsemi

HUF76609D3S

MOSFET N-CH 100V 10A DPAK