FDMS8622

Numero di Prodotto del Fabbricante:

FDMS8622

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

FDMS8622-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 100V 4.8A/16.5A 8QFN

Descrizione Dettagliata:

N-Channel 100 V 4.8A (Ta), 16.5A (Tc) 2.5W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

Inventario:

10600 Pz Nuovo Originale Disponibile

12839486

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FDMS8622 Specifiche Tecniche

Categoria

FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET

Produttore

onsemi

Imballaggio

Tape & Reel (TR)

Serie

PowerTrench®

Stato del prodotto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione da drain a source (Vdss)

100 V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C

4.8A (Ta), 16.5A (Tc)

Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

56mOhm @ 4.8A, 10V

vgs(th) (massimo) @ id

4V @ 250µA

Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs

7 nC @ 10 V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds

400 pF @ 50 V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Ta), 31W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-PQFN (5x6)

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

Numero di prodotto di base

FDMS86

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

Scheda Dati HTML

Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard

3,000

Altri nomi

FDMS8622TR

FDMS8622CT

FDMS8622DKR

FDMS8622-DG

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS

ROHS3 Compliant

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)

1 (Unlimited)

Stato REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificazione DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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