FDMS86202ET120

Numero di Prodotto del Fabbricante:

FDMS86202ET120

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

FDMS86202ET120-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 120V 13.5/102A PWR56

Descrizione Dettagliata:

N-Channel 120 V 13.5A (Ta), 102A (Tc) 3.3W (Ta), 187W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

Inventario:

RFQ Online

12840057

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FDMS86202ET120 Specifiche Tecniche

Categoria

FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET

Produttore

onsemi

Imballaggio

Tape & Reel (TR)

Serie

PowerTrench®

Stato del prodotto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione da drain a source (Vdss)

120 V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C

13.5A (Ta), 102A (Tc)

Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.2mOhm @ 13.5A, 10V

vgs(th) (massimo) @ id

4V @ 250µA

Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs

64 nC @ 10 V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds

4585 pF @ 60 V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.3W (Ta), 187W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-PQFN (5x6)

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

Numero di prodotto di base

FDMS86202

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

Scheda Dati HTML

FDMS86202ET120-DG

Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard

3,000

Altri nomi

FDMS86202ET120TR

FDMS86202ET120CT

FDMS86202ET120DKR

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS

ROHS3 Compliant

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)

1 (Unlimited)

Stato REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificazione DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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