Numero di Prodotto del Fabbricante:
FDMS86102LZ
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FDMS86102LZ-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 7A/22A 8PQFN
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 100 V 7A (Ta), 22A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Inventario:
66683 Pz Nuovo Originale Disponibile
12838889
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FDMS86102LZ Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
PowerTrench®
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
7A (Ta), 22A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
25mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1305 pF @ 50 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2.5W (Ta), 69W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
8-PQFN (5x6)
Pacchetto / Custodia
8-PowerTDFN
Numero di prodotto di base
FDMS86102
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
2156-FDMS86102LZ-OS
FDMS86102LZ-DG
FDMS86102LZCT
FDMS86102LZDKR
ONSONSFDMS86102LZ
FDMS86102LZTR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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