Numero di Prodotto del Fabbricante:
FDMS4D0N12C
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FDMS4D0N12C-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 120V 18.5A/114A 8QFN
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 120 V 18.5A (Ta), 114A (Tc) 2.7W (Ta), 106W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Inventario:
4063 Pz Nuovo Originale Disponibile
12847102
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FDMS4D0N12C Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
PowerTrench®
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
120 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
18.5A (Ta), 114A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4mOhm @ 67A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 370A
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
82 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
6460 pF @ 60 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2.7W (Ta), 106W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
8-PQFN (5x6)
Pacchetto / Custodia
8-PowerTDFN
Numero di prodotto di base
FDMS4
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
FDMS4D0N12COSDKR
FDMS4D0N12C-DG
FDMS4D0N12COSTR
FDMS4D0N12COSCT
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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