FDMS3669S
Numero di Prodotto del Fabbricante:

FDMS3669S

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

FDMS3669S-DG

Descrizione:

MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A POWER56
Descrizione Dettagliata:
Mosfet Array 30V 13A, 18A 1W Surface Mount Power56

Inventario:

190 Pz Nuovo Originale Disponibile
12851000
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FDMS3669S Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET, Arrays di MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
PowerTrench®
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configurazione
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Funzione FET
Logic Level Gate
Tensione da drain a source (Vdss)
30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
13A, 18A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.7V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
24nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1605pF @ 15V
Potenza - Max
1W
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
8-PowerTDFN
Pacchetto dispositivo fornitore
Power56
Numero di prodotto di base
FDMS3669

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
FDMS3669S
Scheda Dati HTML
FDMS3669S-DG
Schede dati
FDMS3669S

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
FDMS3669SCT
FDMS3669SDKR
2156-FDMS3669S-OS
2832-FDMS3669STR
FDMS3669STR

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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