Numero di Prodotto del Fabbricante:
FDMS3572
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FDMS3572-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 80V 8.8A/22A 8MLP
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 80 V 8.8A (Ta), 22A (Tc) 2.5W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount 8-MLP (5x6), Power56
Inventario:
8868 Pz Nuovo Originale Disponibile
12840465
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
FDMS3572 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
UltraFET™
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
80 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
8.8A (Ta), 22A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
16.5mOhm @ 8.8A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
2490 pF @ 40 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2.5W (Ta), 78W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
8-MLP (5x6), Power56
Pacchetto / Custodia
8-PowerWDFN
Numero di prodotto di base
FDMS35
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
FDMS3572TR
FDMS3572DKR
FDMS3572CT
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
NTMFS4C024NT3G
MOSFET N-CH 30V 21.7A/78A 5DFN
AUIRFS4310TRL
MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
ECH8308-TL-H
MOSFET P-CH 12V 10A 8ECH
