Numero di Prodotto del Fabbricante:
FDMS039N08B
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FDMS039N08B-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 80V 19.4A/100A 8PQFN
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 80 V 19.4A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Inventario:
3489 Pz Nuovo Originale Disponibile
12836629
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FDMS039N08B Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
PowerTrench®
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
80 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
19.4A (Ta), 100A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.9mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
7600 pF @ 40 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2.5W (Ta), 104W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
8-PQFN (5x6)
Pacchetto / Custodia
8-PowerTDFN
Numero di prodotto di base
FDMS039
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
FDMS039N08BTR
FDMS039N08BCT
FDMS039N08BDKR
2156-FDMS039N08BTR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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