FDMC86261P
Numero di Prodotto del Fabbricante:

FDMC86261P

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

FDMC86261P-DG

Descrizione:

MOSFET P-CH 150V 2.7A/9A 8MLP
Descrizione Dettagliata:
P-Channel 150 V 2.7A (Ta), 9A (Tc) 2.3W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)

Inventario:

761 Pz Nuovo Originale Disponibile
12850619
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FDMC86261P Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
PowerTrench®
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
150 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
2.7A (Ta), 9A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
160mOhm @ 2.4A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1360 pF @ 75 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2.3W (Ta), 40W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
8-MLP (3.3x3.3)
Pacchetto / Custodia
8-PowerWDFN
Numero di prodotto di base
FDMC86261

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
Scheda Dati HTML
Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
FDMC86261PCT
FDMC86261PTR
FDMC86261PDKR

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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