Numero di Prodotto del Fabbricante:
FDMC86116LZ
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FDMC86116LZ-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 3.3A/7.5A 8MLP
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 100 V 3.3A (Ta), 7.5A (Tc) 2.3W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)
Inventario:
4978 Pz Nuovo Originale Disponibile
12845206
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FDMC86116LZ Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
PowerTrench®
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
3.3A (Ta), 7.5A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
103mOhm @ 3.3A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.2V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
6 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
310 pF @ 50 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2.3W (Ta), 19W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
8-MLP (3.3x3.3)
Pacchetto / Custodia
8-PowerWDFN
Numero di prodotto di base
FDMC86116
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
FDMC86116LZ-DG
FDMC86116LZTR
FDMC86116LZCT
FDMC86116LZDKR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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