Numero di Prodotto del Fabbricante:
FDMC4435BZ
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FDMC4435BZ-DG
Descrizione:
MOSFET P-CH 30V 8.5A/18A 8MLP
Descrizione Dettagliata:
P-Channel 30 V 8.5A (Ta), 18A (Tc) 2.3W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)
Inventario:
11065 Pz Nuovo Originale Disponibile
12851191
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FDMC4435BZ Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
PowerTrench®
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
8.5A (Ta), 18A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
20mOhm @ 8.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
2045 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2.3W (Ta), 31W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
8-MLP (3.3x3.3)
Pacchetto / Custodia
8-PowerWDFN
Numero di prodotto di base
FDMC4435
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
FSCFDMC4435BZ
FDMC4435BZTR
FDMC4435BZDKR
FDMC4435BZCT
2156-FDMC4435BZ-OS
2832-FDMC4435BZTR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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