Numero di Prodotto del Fabbricante:
FDMC2D8N025S
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FDMC2D8N025S-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 25V 124A POWER33
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 25 V 124A (Tc) 47W (Tc) Surface Mount Power33
Inventario:
1121 Pz Nuovo Originale Disponibile
12836247
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
FDMC2D8N025S Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
25 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
124A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.9mOhm @ 28A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3V @ 1mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±16V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
4615 pF @ 13 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
47W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
Power33
Pacchetto / Custodia
8-PowerWDFN
Numero di prodotto di base
FDMC2D8
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
FDMC2D8N025SOSTR
2832-FDMC2D8N025STR
FDMC2D8N025S-DG
FDMC2D8N025SOSDKR
FDMC2D8N025SOSCT
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
SISS08DN-T1-GE3
FABBRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTITÀ DISPONIBILE
5940
NUMERO DI PEZZO
SISS08DN-T1-GE3-DG
PREZZO UNITARIO
0.39
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
FDP5500
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
2SK3703
MOSFET N-CH 60V 30A TO220ML
FDB390N15A
MOSFET N-CH 150V 27A D2PAK
