Numero di Prodotto del Fabbricante:
FDMC2610
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FDMC2610-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 200V 2.2A/9.5A 8MLP
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 200 V 2.2A (Ta), 9.5A (Tc) 2.1W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)
Inventario:
5348 Pz Nuovo Originale Disponibile
12847165
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FDMC2610 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
UniFET™
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
200 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
2.2A (Ta), 9.5A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
200mOhm @ 2.2A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
960 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2.1W (Ta), 42W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
8-MLP (3.3x3.3)
Pacchetto / Custodia
8-PowerWDFN
Numero di prodotto di base
FDMC26
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
FDMC2610DKR
FDMC2610TR
2156-FDMC2610-OS
FDMC2610CT
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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