FDMB668P
Numero di Prodotto del Fabbricante:

FDMB668P

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

FDMB668P-DG

Descrizione:

MOSFET P-CH 20V 6.1A 8MLP
Descrizione Dettagliata:
P-Channel 20 V 6.1A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount 8-MLP, MicroFET (3x1.9)

Inventario:

12837249
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FDMB668P Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
PowerTrench®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
20 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
6.1A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
35mOhm @ 6.1A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id
1V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
59 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
2085 pF @ 10 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1.9W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
8-MLP, MicroFET (3x1.9)
Pacchetto / Custodia
8-PowerWDFN
Numero di prodotto di base
FDMB66

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
FDMB668PTR
FDMB668PCT
FDMB668PDKR

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelli Alternativi

NUMERO DI PARTE
PMPB33XP,115
FABBRICANTE
NXP USA Inc.
QUANTITÀ DISPONIBILE
31498
NUMERO DI PEZZO
PMPB33XP,115-DG
PREZZO UNITARIO
0.08
TIPO DI SOSTITUZIONE
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