Numero di Prodotto del Fabbricante:
FDI045N10A
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FDI045N10A-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 263W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Inventario:
12846600
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FDI045N10A Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
PowerTrench®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
5270 pF @ 50 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
263W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-262 (I2PAK)
Pacchetto / Custodia
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numero di prodotto di base
FDI045
Scheda dati e documenti
Scheda Dati HTML
Schede dati
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
50
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
FDI045N10A-F102
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
475
NUMERO DI PEZZO
FDI045N10A-F102-DG
PREZZO UNITARIO
1.84
TIPO DI SOSTITUZIONE
Parametric Equivalent
NUMERO DI PARTE
IPI045N10N3GXKSA1
FABBRICANTE
Infineon Technologies
QUANTITÀ DISPONIBILE
894
NUMERO DI PEZZO
IPI045N10N3GXKSA1-DG
PREZZO UNITARIO
1.32
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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