FDG6308P
Numero di Prodotto del Fabbricante:

FDG6308P

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

FDG6308P-DG

Descrizione:

MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88
Descrizione Dettagliata:
Mosfet Array 20V 600mA 300mW Surface Mount SC-88 (SC-70-6)

Inventario:

12837688
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA

FDG6308P Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET, Arrays di MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
PowerTrench®
Stato del prodotto
Obsolete
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configurazione
2 P-Channel (Dual)
Funzione FET
Logic Level Gate
Tensione da drain a source (Vdss)
20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
600mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
400mOhm @ 600mA, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id
1.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
2.5nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
153pF @ 10V
Potenza - Max
300mW
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitore
SC-88 (SC-70-6)
Numero di prodotto di base
FDG6308

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
Scheda Dati HTML
Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
FDG6308P-DG
2156-FDG6308P-OS
FDG6308PTR
ONSONSFDG6308P
FDG6308PDKR
FDG6308PCT

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Modelli Alternativi

NUMERO DI PARTE
NTJD4152PT1G
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
15411
NUMERO DI PEZZO
NTJD4152PT1G-DG
PREZZO UNITARIO
0.10
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
onsemi

FDME1034CZT

MOSFET N/P-CH 20V 3.8A 6MICROFET

onsemi

FDG8842CZ

MOSFET N/P-CH 30V 0.75A SC88

infineon-technologies

AUIRF7103Q

MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO

onsemi

FDC6327C

MOSFET N/P-CH 20V 2.7A SSOT6