FDG311N

Numero di Prodotto del Fabbricante:

FDG311N

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

FDG311N-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 20V 1.9A SC88

Descrizione Dettagliata:

N-Channel 20 V 1.9A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SC-88 (SC-70-6)

Inventario:

RFQ Online

12839577

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FDG311N Specifiche Tecniche

Categoria

FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET

Produttore

onsemi

Imballaggio

-

Serie

PowerTrench®

Stato del prodotto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione da drain a source (Vdss)

20 V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C

1.9A (Ta)

Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

115mOhm @ 1.9A, 4.5V

vgs(th) (massimo) @ id

1.5V @ 250µA

Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs

4.5 nC @ 4.5 V

Vgs (massimo)

±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds

270 pF @ 10 V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

750mW (Ta)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SC-88 (SC-70-6)

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Numero di prodotto di base

FDG311

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

Scheda Dati HTML

Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard

3,000

Altri nomi

FDG311NTR

FDG311NCT

FDG311N-DG

2832-FDG311NTR

2166-FDG311N-488

FDG311NDKR

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS

ROHS3 Compliant

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)

1 (Unlimited)

Stato REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

Certificazione DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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