Numero di Prodotto del Fabbricante:
FDFMA2P029Z
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FDFMA2P029Z-DG
Descrizione:
MOSFET P-CH 20V 3.1A 6MICROFET
Descrizione Dettagliata:
P-Channel 20 V 3.1A (Ta) 1.4W (Tj) Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
Inventario:
12849466
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
FDFMA2P029Z Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
PowerTrench®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
20 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
3.1A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
95mOhm @ 3.1A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id
1.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 4.5 V
Vgs (massimo)
±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
720 pF @ 10 V
Funzione FET
Schottky Diode (Isolated)
Dissipazione di potenza (max)
1.4W (Tj)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
6-MicroFET (2x2)
Pacchetto / Custodia
6-VDFN Exposed Pad
Numero di prodotto di base
FDFMA2
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
2832-FDFMA2P029ZTR
FDFMA2P029ZDKR
FDFMA2P029ZCT
2832-FDFMA2P029Z-488
FDFMA2P029ZTR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
AON6284A
MOSFET N-CHANNEL 80V 48A 8DFN
FCP380N60E
MOSFET N-CH 600V 10.2A TO220-3
AON2705
MOSFET P-CH 30V 3A 6DFN
