Numero di Prodotto del Fabbricante:
FDD86581-F085
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FDD86581-F085-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 25A DPAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 60 V 25A (Tc) 48.4W (Tj) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventario:
9781 Pz Nuovo Originale Disponibile
12839637
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FDD86581-F085 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
15mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
880 pF @ 30 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
48.4W (Tj)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-252 (DPAK)
Pacchetto / Custodia
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numero di prodotto di base
FDD86581
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,500
Altri nomi
FDD86581-F085-DG
FDD86581_F085-DG
FDD86581_F085
FDD86581-F085OSDKR
FDD86581-F085OSCT
FDD86581-F085OSTR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
NVMYS014N06CLTWG
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
7137
NUMERO DI PEZZO
NVMYS014N06CLTWG-DG
PREZZO UNITARIO
0.31
TIPO DI SOSTITUZIONE
MFR Recommended
NUMERO DI PARTE
IPD50N06S4L12ATMA2
FABBRICANTE
Infineon Technologies
QUANTITÀ DISPONIBILE
17005
NUMERO DI PEZZO
IPD50N06S4L12ATMA2-DG
PREZZO UNITARIO
0.40
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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