FDD86367
Numero di Prodotto del Fabbricante:

FDD86367

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

FDD86367-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 80V 100A DPAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 80 V 100A (Tc) 227W (Tj) Surface Mount TO-252 (DPAK)

Inventario:

40875 Pz Nuovo Originale Disponibile
12838752
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FDD86367 Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
PowerTrench®
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
80 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.2mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
88 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
4840 pF @ 40 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
227W (Tj)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Qualificazione
AEC-Q101
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-252 (DPAK)
Pacchetto / Custodia
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numero di prodotto di base
FDD863

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
Scheda Dati HTML
Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
2,500
Altri nomi
FDD86367-DG
FDD86367OSCT
FDD86367OSDKR
FDD86367OSTR

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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