FDD86326

Numero di Prodotto del Fabbricante:

FDD86326

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

FDD86326-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 80V 8A/37A DPAK

Descrizione Dettagliata:

N-Channel 80 V 8A (Ta), 37A (Tc) 3.1W (Ta), 62W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Inventario:

9960 Pz Nuovo Originale Disponibile

12838548

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FDD86326 Specifiche Tecniche

Categoria

FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET

Produttore

onsemi

Imballaggio

Tape & Reel (TR)

Serie

PowerTrench®

Stato del prodotto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione da drain a source (Vdss)

80 V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C

8A (Ta), 37A (Tc)

Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

23mOhm @ 8A, 10V

vgs(th) (massimo) @ id

4V @ 250µA

Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs

19 nC @ 10 V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds

1035 pF @ 50 V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.1W (Ta), 62W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-252AA

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Numero di prodotto di base

FDD863

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

Scheda Dati HTML

Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard

2,500

Altri nomi

FDD86326DKR

FDD86326TR

FDD86326CT

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS

ROHS3 Compliant

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)

1 (Unlimited)

Stato REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificazione DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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