Numero di Prodotto del Fabbricante:
FDD86113LZ
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FDD86113LZ-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 4.2A/5.5A DPAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 100 V 4.2A (Ta), 5.5A (Tc) 3.1W (Ta), 29W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventario:
12926583
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FDD86113LZ Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
PowerTrench®
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
4.2A (Ta), 5.5A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
104mOhm @ 4.2A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
6 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
285 pF @ 50 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3.1W (Ta), 29W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-252AA
Pacchetto / Custodia
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numero di prodotto di base
FDD86113
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,500
Altri nomi
FDD86113LZFSDKR
FDD86113LZFSCT
FDD86113LZFSTR
FDD86113LZ-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
DMN10H100SK3-13
FABBRICANTE
Diodes Incorporated
QUANTITÀ DISPONIBILE
4328
NUMERO DI PEZZO
DMN10H100SK3-13-DG
PREZZO UNITARIO
0.23
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
STD15NF10T4
FABBRICANTE
STMicroelectronics
QUANTITÀ DISPONIBILE
2040
NUMERO DI PEZZO
STD15NF10T4-DG
PREZZO UNITARIO
0.48
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
Certificazione DIGI
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