FDD8586
Numero di Prodotto del Fabbricante:

FDD8586

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

FDD8586-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 20V 35A TO252AA
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 20 V 35A (Tc) 77W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Inventario:

12836790
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FDD8586 Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
PowerTrench®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
20 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.5mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
2480 pF @ 10 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
77W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-252AA
Pacchetto / Custodia
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numero di prodotto di base
FDD858

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
2,500
Altri nomi
FDD8586CT
FDD8586DKR
FDD8586TR

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelli Alternativi

NUMERO DI PARTE
IRFR3711ZTRPBF
FABBRICANTE
Infineon Technologies
QUANTITÀ DISPONIBILE
7103
NUMERO DI PEZZO
IRFR3711ZTRPBF-DG
PREZZO UNITARIO
0.42
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
STD17NF03LT4
FABBRICANTE
STMicroelectronics
QUANTITÀ DISPONIBILE
3239
NUMERO DI PEZZO
STD17NF03LT4-DG
PREZZO UNITARIO
0.34
TIPO DI SOSTITUZIONE
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