Numero di Prodotto del Fabbricante:
FDD8426H
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FDD8426H-DG
Descrizione:
MOSFET N/P-CH 40V 12A/10A TO252
Descrizione Dettagliata:
Mosfet Array 40V 12A, 10A 1.3W Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventario:
12846240
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
FDD8426H Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET, Arrays di MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
PowerTrench®
Stato del prodotto
Obsolete
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configurazione
N and P-Channel
Funzione FET
Logic Level Gate
Tensione da drain a source (Vdss)
40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
12A, 10A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
53nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
2735pF @ 20V
Potenza - Max
1.3W
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
TO-252-5, DPAK (4 Leads + Tab), TO-252AD
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-252 (DPAK)
Numero di prodotto di base
FDD8426
Scheda dati e documenti
Scheda Dati HTML
Schede dati
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,500
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
AO6802L_001
MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 6TSOP
AO4807
MOSFET 2P-CH 30V 6A 8SOIC
AO4842L
MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC
