Casa
Prodotti
Fornitori
Informazioni su DiGi
Contattaci
Blog e Post
RFQ/Preventivo
ltaly
Accedi
Lingua Selettiva
Lingua attuale di tua scelta:
ltaly
Interruttore:
Inglese
Europa
Regno Unito
Francia
Spagna
Turchia
Moldavia
Lituania
Norvegia
Germania
Portogallo
Slovacchia
Italia
Finlandia
Russo
Bulgaria
Danimarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Ceco
Greco
Croazia
Israele
Serbia
Belarus
Paesi Bassi
Svezia
Montenegro
Basco
Islanda
Bosnia
Ungherese
Romania
Austria
Belgio
Irlanda
Asia / Pacifico
Cina
Vietnam
Indonesia
Thailandia
Laos
Filippine
Malaysia
Corea
Giappone
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudita
Qatar
Kuwait
Cambogia
Myanmar
Africa, India e Medio Oriente
Emirati Arabi Uniti
Tagikistan
Madagascar
India
Iran
Repubblica Democratica del Congo
Sud Africa
Egitto
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocco
Tunisia
Sud America / Oceania
Nuova Zelanda
Angola
Brasile
Mozambico
Perù
Colombia
Cile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
Nord America
Stati Uniti
Haiti
Canada
Costa Rica
Messico
Informazioni su DiGi
Chi Siamo
Chi Siamo
Le nostre certificazioni
Introduzione
Perché DiGi
Politica
Politica della Qualità
Termini di utilizzo
Conformità RoHS
Processo di Restituzione
Risorse
Categorie di Prodotto
Fornitori
Blog e Post
Servizi
Garanzia di qualità
Modalità di pagamento
Spedizione Globale
Tariffe di spedizione
Domande Frequenti
Numero di Prodotto del Fabbricante:
FDD6N50TM
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FDD6N50TM-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 500V 6A DPAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 500 V 6A (Tc) 89W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventario:
RFQ Online
12839719
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
*
Azienda
*
Nome Contatto
*
Telefono
*
E-mail
Indirizzo di consegna
Messaggio
(
*
) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
FDD6N50TM Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
UniFET™
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
500 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
900mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
16.6 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
9400 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
89W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-252AA
Pacchetto / Custodia
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numero di prodotto di base
FDD6N50
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
FDD6N50, FDU6N50
Scheda Dati HTML
FDD6N50TM-DG
Schede dati
FDD6N50TM
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,500
Altri nomi
FDD6N50TM-5
FDD6N50TM-5INACTIVE
FDD6N50TM-DG
FDD6N50TMCT
FDD6N50TMTR
FDD6N50TM-5-DG
FDD6N50TMDKR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
FCD600N65S3R0
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
2470
NUMERO DI PEZZO
FCD600N65S3R0-DG
PREZZO UNITARIO
0.66
TIPO DI SOSTITUZIONE
MFR Recommended
NUMERO DI PARTE
STD6N52K3
FABBRICANTE
STMicroelectronics
QUANTITÀ DISPONIBILE
2751
NUMERO DI PEZZO
STD6N52K3-DG
PREZZO UNITARIO
0.45
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
STD8NM50N
FABBRICANTE
STMicroelectronics
QUANTITÀ DISPONIBILE
1231
NUMERO DI PEZZO
STD8NM50N-DG
PREZZO UNITARIO
0.88
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
STD7N52K3
FABBRICANTE
STMicroelectronics
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
STD7N52K3-DG
PREZZO UNITARIO
0.55
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
NTB5605PG
MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK
FDC8601
MOSFET N-CH 100V 2.7A SUPERSOT6
FDD6670AL
MOSFET N-CH 30V 84A D-PAK
FQA13N80
MOSFET N-CH 800V 12.6A TO3PN