Numero di Prodotto del Fabbricante:
FDD5N60NZTM
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FDD5N60NZTM-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 600 V 4A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventario:
45384 Pz Nuovo Originale Disponibile
12850346
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
FDD5N60NZTM Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
UniFET-II™
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
600 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
600 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
83W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-252AA
Pacchetto / Custodia
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numero di prodotto di base
FDD5N60
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,500
Altri nomi
FDD5N60NZTM-DG
2156-FDD5N60NZTM-OS
ONSONSFDD5N60NZTM
FDD5N60NZTMTR
FDD5N60NZTMCT
FDD5N60NZTMDKR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
FDMS7676
MOSFET N-CH 30V 16A/28A 8PQFN
FQA6N90C-F109
MOSFET N-CH 900V 6A TO3PN
FQPF9N25
MOSFET N-CH 250V 6.7A TO220F
