FDD306P
Numero di Prodotto del Fabbricante:

FDD306P

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

FDD306P-DG

Descrizione:

MOSFET P-CH 12V 6.7A TO252
Descrizione Dettagliata:
P-Channel 12 V 6.7A (Ta) 52W (Ta) Surface Mount TO-252AA

Inventario:

7389 Pz Nuovo Originale Disponibile
12848690
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FDD306P Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
PowerTrench®
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
12 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
6.7A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
28mOhm @ 6.7A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id
1.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
21 nC @ 4.5 V
Vgs (massimo)
±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1290 pF @ 6 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
52W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-252AA
Pacchetto / Custodia
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numero di prodotto di base
FDD306

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
Scheda Dati HTML
Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
2,500
Altri nomi
FDD306P-DG
2156-FDD306P-OS
ONSONSFDD306P
FDD306PTR
FDD306PDKR
FDD306PCT

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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