Numero di Prodotto del Fabbricante:
FDD10AN06A0
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FDD10AN06A0-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 11A/50A TO252AA
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 60 V 11A (Ta), 50A (Tc) 135W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventario:
2544 Pz Nuovo Originale Disponibile
12849599
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FDD10AN06A0 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
PowerTrench®
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
11A (Ta), 50A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10.5mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
37 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1840 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
135W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-252AA
Pacchetto / Custodia
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numero di prodotto di base
FDD10AN06
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,500
Altri nomi
FDD10AN06A0CT
FDD10AN06A0DKR
ONSONSFDD10AN06A0
FDD10AN06A0-DG
FDD10AN06A0TR
2156-FDD10AN06A0-OS
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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