FDC654P
Numero di Prodotto del Fabbricante:

FDC654P

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

FDC654P-DG

Descrizione:

MOSFET P-CH 30V 3.6A SUPERSOT6
Descrizione Dettagliata:
P-Channel 30 V 3.6A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6

Inventario:

10965 Pz Nuovo Originale Disponibile
12851278
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA

FDC654P Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
PowerTrench®
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
3.6A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
75mOhm @ 3.6A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
9 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
298 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1.6W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
SuperSOT™-6
Pacchetto / Custodia
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Numero di prodotto di base
FDC654

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
Scheda Dati HTML
Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
FDC654PCT
FDC654P-DG
FDC654PTR
FDC654PDKR

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
rohm-semi

R6511ENJTL

MOSFET N-CH 650V 11A LPTS

infineon-technologies

IAUS300N08S5N012ATMA1

MOSFET N-CH 80V 300A HSOG-8

onsemi

FDS6675BZ

MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC

onsemi

FDD16AN08A0

MOSFET N-CH 75V 9A/50A DPAK