Numero di Prodotto del Fabbricante:
FDC642P
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FDC642P-DG
Descrizione:
MOSFET P-CH 20V 4A SUPERSOT6
Descrizione Dettagliata:
P-Channel 20 V 4A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
Inventario:
11728 Pz Nuovo Originale Disponibile
12847119
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
FDC642P Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
PowerTrench®
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
20 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
4A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
65mOhm @ 4A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id
1.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
16 nC @ 4.5 V
Vgs (massimo)
±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
925 pF @ 10 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1.6W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
SuperSOT™-6
Pacchetto / Custodia
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Numero di prodotto di base
FDC642
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
FDC642PCT
ONSONSFDC642P
FDC642P-DG
2156-FDC642P-OS
FDC642PDKR
FDC642PTR
2832-FDC642P
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
FDMA7670
MOSFET N-CH 30V 11A 6MICROFET
FDV302P_D87Z
MOSFET P-CH 25V 120MA SOT23
HUFA76432P3
MOSFET N-CH 60V 59A TO220-3
