Numero di Prodotto del Fabbricante:
FDC638P-P
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FDC638P-P-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V SUPERSOT6
Descrizione Dettagliata:
P-Channel 20 V 4.5A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
Inventario:
12997490
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FDC638P-P Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
PowerTrench®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
20 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
4.5A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
48mOhm @ 4.5A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id
1.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 4.5 V
Vgs (massimo)
±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1160 pF @ 10 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1.6W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
SuperSOT™-6
Pacchetto / Custodia
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Numero di prodotto di base
FDC638
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
488-FDC638P-PTR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
FDC638P
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
4802
NUMERO DI PEZZO
FDC638P-DG
PREZZO UNITARIO
0.16
TIPO DI SOSTITUZIONE
Parametric Equivalent
Certificazione DIGI
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