Numero di Prodotto del Fabbricante:
FDC3535
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FDC3535-DG
Descrizione:
MOSFET P-CH 80V 2.1A SUPERSOT6
Descrizione Dettagliata:
P-Channel 80 V 2.1A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
Inventario:
12846224
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FDC3535 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
PowerTrench®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
80 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
2.1A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
183mOhm @ 2.1A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
880 pF @ 40 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1.6W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
SuperSOT™-6
Pacchetto / Custodia
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Numero di prodotto di base
FDC3535
Scheda dati e documenti
Scheda Dati HTML
Schede dati
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
2832-FDC3535
FDC3535DKR
FDC3535TR
FDC3535CT
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
SI3129DV-T1-GE3
FABBRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
SI3129DV-T1-GE3-DG
PREZZO UNITARIO
0.20
TIPO DI SOSTITUZIONE
Direct
Certificazione DIGI
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