Numero di Prodotto del Fabbricante:
FDBL0260N100
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FDBL0260N100-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 200A 8HPSOF
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 100 V 200A (Tc) 3.5W (Ta), 250W (Tc) Surface Mount 8-HPSOF
Inventario:
1980 Pz Nuovo Originale Disponibile
12848650
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FDBL0260N100 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
PowerTrench®
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
200A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.6mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
116 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
9265 pF @ 50 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3.5W (Ta), 250W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
8-HPSOF
Pacchetto / Custodia
8-PowerSFN
Numero di prodotto di base
FDBL0260
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,000
Altri nomi
FDBL0260N100TR
FDBL0260N100-DG
FDBL0260N100DKR
FDBL0260N100CT
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
IPT020N10N3ATMA1
FABBRICANTE
Infineon Technologies
QUANTITÀ DISPONIBILE
2232
NUMERO DI PEZZO
IPT020N10N3ATMA1-DG
PREZZO UNITARIO
4.25
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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