Numero di Prodotto del Fabbricante:
FDB8874
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FDB8874-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 21A/121A TO263AB
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 30 V 21A (Ta), 121A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventario:
12850696
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FDB8874 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
PowerTrench®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
21A (Ta), 121A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.7mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
72 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
3130 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
110W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-263 (D2PAK)
Pacchetto / Custodia
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numero di prodotto di base
FDB887
Scheda dati e documenti
Scheda Dati HTML
Schede dati
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
800
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
IRL3803STRLPBF
FABBRICANTE
Infineon Technologies
QUANTITÀ DISPONIBILE
2825
NUMERO DI PEZZO
IRL3803STRLPBF-DG
PREZZO UNITARIO
0.95
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
STB80NF03L-04T4
FABBRICANTE
STMicroelectronics
QUANTITÀ DISPONIBILE
691
NUMERO DI PEZZO
STB80NF03L-04T4-DG
PREZZO UNITARIO
1.90
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
PSMN4R3-30BL,118
FABBRICANTE
Nexperia USA Inc.
QUANTITÀ DISPONIBILE
9945
NUMERO DI PEZZO
PSMN4R3-30BL,118-DG
PREZZO UNITARIO
0.58
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
PSMN017-30BL,118
FABBRICANTE
Nexperia USA Inc.
QUANTITÀ DISPONIBILE
1868
NUMERO DI PEZZO
PSMN017-30BL,118-DG
PREZZO UNITARIO
0.37
TIPO DI SOSTITUZIONE
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