FDB8860
Numero di Prodotto del Fabbricante:

FDB8860

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

FDB8860-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 30 V 80A (Tc) 254W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventario:

1 Pz Nuovo Originale Disponibile
12847985
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FDB8860 Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Cut Tape (CT)
Serie
PowerTrench®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.3mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
214 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
12585 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
254W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-263 (D2PAK)
Pacchetto / Custodia
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numero di prodotto di base
FDB886

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
Scheda Dati HTML
Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
800
Altri nomi
FDB8860CT
FDB8860DKR
FDB8860TR
2832-FDB8860TR
2156-FDB8860-OS
ONSONSFDB8860

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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