FDB8860

Numero di Prodotto del Fabbricante:

FDB8860

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

FDB8860-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB

Descrizione Dettagliata:

N-Channel 30 V 80A (Tc) 254W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventario:

1 Pz Nuovo Originale Disponibile

12847985

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FDB8860 Specifiche Tecniche

Categoria

FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET

Produttore

onsemi

Imballaggio

Cut Tape (CT)

Serie

PowerTrench®

Stato del prodotto

Obsolete

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione da drain a source (Vdss)

30 V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C

80A (Tc)

Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.3mOhm @ 80A, 10V

vgs(th) (massimo) @ id

3V @ 250µA

Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs

214 nC @ 10 V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds

12585 pF @ 15 V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

254W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-263 (D2PAK)

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Numero di prodotto di base

FDB886

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

Scheda Dati HTML

Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard

800

Altri nomi

FDB8860CT

FDB8860DKR

FDB8860TR

2832-FDB8860TR

2156-FDB8860-OS

ONSONSFDB8860

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS

ROHS3 Compliant

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)

1 (Unlimited)

Stato REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificazione DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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