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Domande Frequenti
Numero di Prodotto del Fabbricante:
FDB8832-F085
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FDB8832-F085-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 34A TO263AB
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 30 V 34A (Ta) 300W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventario:
RFQ Online
12837681
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FDB8832-F085 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
PowerTrench®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
34A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.9mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
265 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
11400 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
300W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Qualificazione
AEC-Q101
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-263 (D2PAK)
Pacchetto / Custodia
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numero di prodotto di base
FDB883
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
FDB8832-F085
Scheda Dati HTML
FDB8832-F085-DG
Schede dati
FDB8832-F085
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
800
Altri nomi
FDB8832_F085TR-DG
FDB8832-F085TR
FDB8832_F085CT
FDB8832_F085
FDB8832_F085DKR
FDB8832_F085TR
FDB8832-F085DKR
FDB8832_F085DKR-DG
FDB8832_F085CT-DG
FDB8832-F085CT
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
IPB80N03S4L02ATMA1
FABBRICANTE
Infineon Technologies
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
IPB80N03S4L02ATMA1-DG
PREZZO UNITARIO
1.20
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
SUM90N03-2M2P-E3
FABBRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTITÀ DISPONIBILE
1612
NUMERO DI PEZZO
SUM90N03-2M2P-E3-DG
PREZZO UNITARIO
1.59
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
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