Numero di Prodotto del Fabbricante:
FDB86102LZ
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FDB86102LZ-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 8.3A/30A TO263
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 100 V 8.3A (Ta), 30A (Tc) 3.1W (Ta) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventario:
800 Pz Nuovo Originale Disponibile
12836983
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FDB86102LZ Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
PowerTrench®
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
8.3A (Ta), 30A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
24mOhm @ 8.3A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1275 pF @ 50 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3.1W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-263 (D2PAK)
Pacchetto / Custodia
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numero di prodotto di base
FDB86102
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
800
Altri nomi
FDB86102LZTR
FDB86102LZDKR
2156-FDB86102LZ-OS
FDB86102LZCT
ONSFSCFDB86102LZ
FDB86102LZ-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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