Casa
Prodotti
Fornitori
Informazioni su DiGi
Contattaci
Blog e Post
RFQ/Preventivo
ltaly
Accedi
Lingua Selettiva
Lingua attuale di tua scelta:
ltaly
Interruttore:
Inglese
Europa
Regno Unito
Francia
Spagna
Turchia
Moldavia
Lituania
Norvegia
Germania
Portogallo
Slovacchia
Italia
Finlandia
Russo
Bulgaria
Danimarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Ceco
Greco
Croazia
Israele
Serbia
Belarus
Paesi Bassi
Svezia
Montenegro
Basco
Islanda
Bosnia
Ungherese
Romania
Austria
Belgio
Irlanda
Asia / Pacifico
Cina
Vietnam
Indonesia
Thailandia
Laos
Filippine
Malaysia
Corea
Giappone
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudita
Qatar
Kuwait
Cambogia
Myanmar
Africa, India e Medio Oriente
Emirati Arabi Uniti
Tagikistan
Madagascar
India
Iran
Repubblica Democratica del Congo
Sud Africa
Egitto
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocco
Tunisia
Sud America / Oceania
Nuova Zelanda
Angola
Brasile
Mozambico
Perù
Colombia
Cile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
Nord America
Stati Uniti
Haiti
Canada
Costa Rica
Messico
Informazioni su DiGi
Chi Siamo
Chi Siamo
Le nostre certificazioni
Introduzione
Perché DiGi
Politica
Politica della Qualità
Termini di utilizzo
Conformità RoHS
Processo di Restituzione
Risorse
Categorie di Prodotto
Fornitori
Blog e Post
Servizi
Garanzia di qualità
Modalità di pagamento
Spedizione Globale
Tariffe di spedizione
Domande Frequenti
Numero di Prodotto del Fabbricante:
FDB8442
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FDB8442-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 40V 28A/80A TO263AB
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 40 V 28A (Ta), 80A (Tc) 254W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventario:
RFQ Online
12848680
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
*
Azienda
*
Nome Contatto
*
Telefono
*
E-mail
Indirizzo di consegna
Messaggio
(
*
) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
FDB8442 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
PowerTrench®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
40 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
28A (Ta), 80A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.9mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
235 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
12200 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
254W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-263 (D2PAK)
Pacchetto / Custodia
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numero di prodotto di base
FDB844
Scheda dati e documenti
Scheda Dati HTML
FDB8442-DG
Schede dati
FDB8442
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
800
Altri nomi
FDB8442DKR
FDB8442CT
FDB8442TR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
BUK765R2-40B,118
FABBRICANTE
NXP USA Inc.
QUANTITÀ DISPONIBILE
23190
NUMERO DI PEZZO
BUK765R2-40B,118-DG
PREZZO UNITARIO
0.74
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
IXTA220N04T2-7
FABBRICANTE
IXYS
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
IXTA220N04T2-7-DG
PREZZO UNITARIO
4.52
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
FQU2N90TU-WS
MOSFET N-CH 900V 1.7A IPAK
FDD9411L-F085
MOSFET N-CH 40V 25A TO252
BSC011N03LSIATMA1
MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON
FDMS86263P
MOSFET P-CH 150V 4.4A/22A 8PQFN