FDB12N50FTM-WS
Numero di Prodotto del Fabbricante:

FDB12N50FTM-WS

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

FDB12N50FTM-WS-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 500 V 11.5A (Tc) 165W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventario:

39 Pz Nuovo Originale Disponibile
12839082
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FDB12N50FTM-WS Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
UniFET™
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
500 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
11.5A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
700mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1395 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
165W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-263 (D2PAK)
Pacchetto / Custodia
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numero di prodotto di base
FDB12N50

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
Scheda Dati HTML
Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
800
Altri nomi
FDB12N50FTM-WSTR
FDB12N50FTM_WS-DG
FDB12N50FTM-WSCT
FDB12N50FTM_WSDKR-DG
FDB12N50FTM_WS
FDB12N50FTM_WSDKR
FDB12N50FTM_WSCT-DG
FDB12N50FTM_WSCT
FDB12N50FTM_WSTR-DG
FDB12N50FTM-WSDKR

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelli Alternativi

NUMERO DI PARTE
FDB20N50F
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
12950
NUMERO DI PEZZO
FDB20N50F-DG
PREZZO UNITARIO
1.47
TIPO DI SOSTITUZIONE
MFR Recommended
Certificazione DIGI
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