Numero di Prodotto del Fabbricante:
FDB035N10A
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FDB035N10A-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 333W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventario:
711 Pz Nuovo Originale Disponibile
12838230
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FDB035N10A Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
PowerTrench®
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.5mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
116 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
7295 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
333W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-263 (D2PAK)
Pacchetto / Custodia
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numero di prodotto di base
FDB035
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
800
Altri nomi
FDB035N10ATR
FDB035N10ACT
FDB035N10A-DG
FDB035N10ADKR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
PSMN3R8-100BS,118
FABBRICANTE
Nexperia USA Inc.
QUANTITÀ DISPONIBILE
16656
NUMERO DI PEZZO
PSMN3R8-100BS,118-DG
PREZZO UNITARIO
1.54
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
IPB120N10S403ATMA1
FABBRICANTE
Infineon Technologies
QUANTITÀ DISPONIBILE
960
NUMERO DI PEZZO
IPB120N10S403ATMA1-DG
PREZZO UNITARIO
2.35
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
IRLS4030TRLPBF
FABBRICANTE
Infineon Technologies
QUANTITÀ DISPONIBILE
1350
NUMERO DI PEZZO
IRLS4030TRLPBF-DG
PREZZO UNITARIO
1.89
TIPO DI SOSTITUZIONE
Direct
Certificazione DIGI
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