FD6M045N06
Numero di Prodotto del Fabbricante:

FD6M045N06

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

FD6M045N06-DG

Descrizione:

MOSFET 2N-CH 60V 60A EPM15
Descrizione Dettagliata:
Mosfet Array 60V 60A Through Hole EPM15

Inventario:

12850047
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA

FD6M045N06 Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET, Arrays di MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
Power-SPM™
Stato del prodotto
Obsolete
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configurazione
2 N-Channel (Dual)
Funzione FET
-
Tensione da drain a source (Vdss)
60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
60A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
87nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
3890pF @ 25V
Potenza - Max
-
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto / Custodia
EPM15
Pacchetto dispositivo fornitore
EPM15
Numero di prodotto di base
FD6M045

Scheda dati e documenti

Scheda Dati HTML
Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
19

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
onsemi

FDS6990AS

MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC

onsemi

FDMS8090

MOSFET 2N-CH 100V 10A 8MLP PWR56

onsemi

FW297-TL-2W

MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOIC

alpha-and-omega-semiconductor

AO5804EL

MOSFET 2N-CH 20V 0.5A SC89-6