Numero di Prodotto del Fabbricante:
FCU600N65S3R0
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FCU600N65S3R0-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 650V 6A IPAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 650 V 6A (Tc) 54W (Tc) Through Hole IPAK
Inventario:
441 Pz Nuovo Originale Disponibile
12838412
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FCU600N65S3R0 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tube
Serie
SuperFET® III
Stato del prodotto
Last Time Buy
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4.5V @ 600µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
465 pF @ 400 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
54W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
IPAK
Pacchetto / Custodia
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Numero di prodotto di base
FCU600
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
75
Altri nomi
FCU600N65S3R0OS
2156-FCU600N65S3R0-488
FCU600N65S3R0-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Not Applicable
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
IXTU8N70X2
FABBRICANTE
IXYS
QUANTITÀ DISPONIBILE
64
NUMERO DI PEZZO
IXTU8N70X2-DG
PREZZO UNITARIO
1.71
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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