Numero di Prodotto del Fabbricante:
FCU3400N80Z
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FCU3400N80Z-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 800V 2A IPAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 800 V 2A (Tc) 32W (Tc) Through Hole I-PAK
Inventario:
12838573
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FCU3400N80Z Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
SuperFET® II
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
800 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.4Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4.5V @ 200µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
9.6 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
400 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
32W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
I-PAK
Pacchetto / Custodia
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numero di prodotto di base
FCU3400
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
1,800
Altri nomi
2832-FCU3400N80Z-488
2832-FCU3400N80Z
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Not Applicable
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
STU3LN80K5
FABBRICANTE
STMicroelectronics
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
STU3LN80K5-DG
PREZZO UNITARIO
0.45
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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