Numero di Prodotto del Fabbricante:
FCPF9N60NTYDTU
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FCPF9N60NTYDTU-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 9A TO220F-3
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 600 V 9A (Tc) 29.8W (Tc) Through Hole TO-220F-3 (Y-Forming)
Inventario:
12930568
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FCPF9N60NTYDTU Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
SupreMOS™
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
600 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
385mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1240 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
29.8W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220F-3 (Y-Forming)
Pacchetto / Custodia
TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Numero di prodotto di base
FCPF9N60
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
800
Altri nomi
2832-FCPF9N60NTYDTU
2832-FCPF9N60NTYDTU-488
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Not Applicable
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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