Numero di Prodotto del Fabbricante:
FCPF600N65S3R0L-F154
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FCPF600N65S3R0L-F154-DG
Descrizione:
POWER SUPERFET MOSFET N-CHANNEL
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 650 V 6A (Tc) 24W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Inventario:
12949892
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FCPF600N65S3R0L-F154 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
SuperFET® III
Stato del prodotto
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4.5V @ 120µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
465 pF @ 400 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
24W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220F-3
Pacchetto / Custodia
TO-220-3 Full Pack
Numero di prodotto di base
FCPF600
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Scheda Dati HTML
Schede dati
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
1,000
Altri nomi
488-FCPF600N65S3R0L-F154DKRINACTIVE
488-FCPF600N65S3R0L-F154CT
488-FCPF600N65S3R0L-F154TR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Not Applicable
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
SIHA6N65E-GE3
FABBRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
SIHA6N65E-GE3-DG
PREZZO UNITARIO
0.76
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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