Numero di Prodotto del Fabbricante:
FCPF2250N80Z
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FCPF2250N80Z-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 800V 2.6A TO220F
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 800 V 2.6A (Tc) 21.9W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Inventario:
12848773
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FCPF2250N80Z Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tube
Serie
SuperFET® II
Stato del prodotto
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
800 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
2.6A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.25Ohm @ 1.3A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4.5V @ 260µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
585 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
21.9W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220F-3
Pacchetto / Custodia
TO-220-3 Full Pack
Numero di prodotto di base
FCPF2250
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
1,000
Altri nomi
2832-FCPF2250N80Z
2832-FCPF2250N80Z-488
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Not Applicable
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
R8003KNXC7G
FABBRICANTE
Rohm Semiconductor
QUANTITÀ DISPONIBILE
477
NUMERO DI PEZZO
R8003KNXC7G-DG
PREZZO UNITARIO
0.99
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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