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Numero di Prodotto del Fabbricante:
FCPF165N65S3R0L
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FCPF165N65S3R0L-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 650V 19A TO220F-3
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 650 V 19A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Inventario:
RFQ Online
12848089
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FCPF165N65S3R0L Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
SuperFET® III
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
165mOhm @ 9.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4.5V @ 1.9mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1415 pF @ 400 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
35W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220F-3
Pacchetto / Custodia
TO-220-3 Full Pack
Numero di prodotto di base
FCPF165
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
FCPF165N65S3R0L
Scheda Dati HTML
FCPF165N65S3R0L-DG
Schede dati
FCPF165N65S3R0L
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
50
Altri nomi
FCPF165N65S3R0L-DG
FCPF165N65S3R0LOS
2156-FCPF165N65S3R0L-488
2832-FCPF165N65S3R0L
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Not Applicable
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
IPA60R120P7XKSA1
FABBRICANTE
Infineon Technologies
QUANTITÀ DISPONIBILE
188
NUMERO DI PEZZO
IPA60R120P7XKSA1-DG
PREZZO UNITARIO
1.49
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
STF20N65M5
FABBRICANTE
STMicroelectronics
QUANTITÀ DISPONIBILE
303
NUMERO DI PEZZO
STF20N65M5-DG
PREZZO UNITARIO
1.35
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
R6020ENX
FABBRICANTE
Rohm Semiconductor
QUANTITÀ DISPONIBILE
46
NUMERO DI PEZZO
R6020ENX-DG
PREZZO UNITARIO
1.44
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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